摘要

本篇笔记主要记录基于恩智浦MPC5744P的Flash模拟EEPROM存储参数和数据的算法，对官方给出的方案深入学习，并可以添加一些扩展内容。

准备工作

EEPROM

EEPROM (electrically erasable programmable read only memory)

因为我们的板卡没有外部EEPROM，必须使用内部Flash来模拟， MPC5744P有内部DFlash 可以用来模拟EEPROM，计划分为四部分来存储设计，1，系统参数，2，标定参数，3，历史记录，4，故障记录

MPC5744P 片上可以用来模拟EEPROM 的地址范围如下图所示，总共96Kb，可以供我们使用。注意表黄色部分取值范围。

使用Flash模拟EEPROM，主要有两个问题，

但是NXP提供一种算法可以解决这个问题，在flash里建立一种类似于文件系统的记录来解决这种问题。

如果数据长度是固定长度的则上方右图变形为下图

这种记录算法简单说明如下

MPC5744P这种类似于文件系统的记录结构如下

包含两部分，Metadata Segment 和Data Segment 。

这里还要注意一下ECC

更新和追加数据

追加和更新数据记录可以分四步完成

记录状态有以下几种取值。$empty为擦除后的状态。

这里给出一个例子说明记录。

读取记录

这里主要是查找记录实现，需要找到要读取的记录数据，通过查找算法，寻找到ID符合并且是最近的一次有效记录，因为可能存在多个同一ID的数据，需要找到最新的。

寿命计算

可以使用官方工具进行设计的计算，可以根据自己的实际配置参数进行计算评估，如果是绿色就证明合理，如果报红色就证明不合理，需要调整。

总结

该算法是NXP的专利，可以在NXP的片子上使用，巧妙的解决了Flash存储的问题，并且解决了寿命的问题。利用数据记录这种类似文件系统的格式，其中还设计到记录的查找算法，分固定长度和变长度。